STP53N05. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STP53N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP53N05
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STP53N05 даташит
stp53n08.pdf
STP53N08 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP53N08 80 V
2stp535fp.pdf
2STP535FP NPN power Darlington transistor Features Monolithic Darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode Very high DC current gain Applications 3 Electronic ignition 2 1 AC-DC motor control TO-220FP Alternator regulator Description Figure 1. Internal schematic diagram The 2STP535FP is a planar NPN power transistor in monolit
Другие MOSFET... STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , IRFB4110 , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 .
History: STP50N06FI | SSR2N60A | FDB86102LZ | STP50N06LFI
History: STP50N06FI | SSR2N60A | FDB86102LZ | STP50N06LFI
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966 | AONR62992 | AON7400B | AON6578 | AO3480C | AO3400C | HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C
Popular searches
2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539




