Справочник MOSFET. STP53N05

 

STP53N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP53N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP53N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP53N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  st
 stp53n05.pdf pdf_icon

STP53N05

 7.1. Size:315K  st
 stp53n06.pdf pdf_icon

STP53N05

 7.2. Size:77K  st
 stp53n08.pdf pdf_icon

STP53N05

STP53N08N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP53N08 80 V

 9.1. Size:165K  st
 2stp535fp.pdf pdf_icon

STP53N05

2STP535FPNPN power Darlington transistorFeatures Monolithic Darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode Very high DC current gainApplications3 Electronic ignition21 AC-DC motor controlTO-220FP Alternator regulatorDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe 2STP535FP is a planar NPN power transistor in monolit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP4NA80 , STP4NA80FI , STP50N05L , STP50N05LFI , STP50N06 , STP50N06FI , STP50N06L , STP50N06LFI , IRF640N , STP53N06 , STP55N05L , STP55N05LFI , STP55N06L , STP55N06LFI , STP5N25L , STP5N25LFI , STP5N30 .

History: AUIRF4104

 

 
Back to Top

 


 
.