PMV15ENEA Todos los transistores

 

PMV15ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMV15ENEA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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PMV15ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  nxp
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PMV15ENEA

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 9.1. Size:305K  nxp
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PMV15ENEA

PMV15UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET6 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

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History: RQJ0306FQDQA | AP4530GM | FDS4435-NL | H7P1006MD90TZ | SUD23N06-31 | CES2303 | BLF175

 

 
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