PMV15ENEA - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PMV15ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV15ENEA технические параметры
pmv15enea.pdf
PMV15ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El
Другие MOSFET... PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , PMT560ENEA , PMV100ENEA , PMV100XPEA , 2SK3878 , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA , PMV25ENEA , PMV27UPEA , PMV280ENEA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222



