Справочник MOSFET. PMV15ENEA

 

PMV15ENEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMV15ENEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для PMV15ENEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV15ENEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  nxp
 pmv15enea.pdf pdf_icon

PMV15ENEA

PMV15ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET16 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

 9.1. Size:305K  nxp
 pmv15unea.pdf pdf_icon

PMV15ENEA

PMV15UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET6 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology

Другие MOSFET... PMPB55ENEA , PMPB55XNEA , PMPB8XN , PMT200EPE , PMT280ENEA , PMT560ENEA , PMV100ENEA , PMV100XPEA , IRFP260 , PMV15UNEA , PMV164ENEA , PMV19XNEA , PMV20XNEA , PMV230ENEA , PMV25ENEA , PMV27UPEA , PMV280ENEA .

History: NCE0160AG | TSJ10N10AT | HUF76629D3ST | BSS606N-P | BUK9628-55A | 6N65KL-TMS4-T | AOI4130

 

 
Back to Top

 


 
.