PMV15ENEA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PMV15ENEA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PMV15ENEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV15ENEA даташит

 ..1. Size:262K  nxp
 pmv15enea.pdf pdf_icon

PMV15ENEA

PMV15ENEA 30 V, N-channel Trench MOSFET 16 May 2019 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El

 9.1. Size:305K  nxp
 pmv15unea.pdf pdf_icon

PMV15ENEA

Другие IGBT... PMPB55ENEA, PMPB55XNEA, PMPB8XN, PMT200EPE, PMT280ENEA, PMT560ENEA, PMV100ENEA, PMV100XPEA, 2SK3878, PMV15UNEA, PMV164ENEA, PMV19XNEA, PMV20XNEA, PMV230ENEA, PMV25ENEA, PMV27UPEA, PMV280ENEA