PMV15ENEA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PMV15ENEA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOT23
PMV15ENEA Datasheet (PDF)
pmv15enea.pdf
PMV15ENEA30 V, N-channel Trench MOSFET16 May 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Logic-level compatible Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology El
pmv15unea.pdf
PMV15UNEA20 V, N-channel Trench MOSFET6 September 2019 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low threshold voltage Extended temperature range Tj = 175 C Trench MOSFET technology
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918