PMV25ENEA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMV25ENEA
Código: DU*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.46 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.6 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 117 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PMV25ENEA
PMV25ENEA Datasheet (PDF)
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Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
pmv250epea.pdf
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PMV250EPEA40 V, P-channel Trench MOSFET20 June 2014 Product data sheet1. General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology.2. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology 1 kV ESD protected
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