PMZB600UNEL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PMZB600UNEL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm

Encapsulados: SOT883B

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PMZB600UNEL datasheet

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PMZB600UNEL

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PMZB600UNE 20 V, N-channel Trench MOSFET 21 July 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package 1.0 0.6

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PMZB670UPE 20 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 3 23 March 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection u

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