PMZB600UNEL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMZB600UNEL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
Тип корпуса: SOT883B
Аналог (замена) для PMZB600UNEL
PMZB600UNEL Datasheet (PDF)
pmzb600unel.pdf

PMZB600UNEL20 V, N-channel Trench MOSFET5 December 2016 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3(SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.2. Features and benefits Low leakage current Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6
pmzb600une.pdf

PMZB600UNE20 V, N-channel Trench MOSFET21 July 2014 Product data sheet1. General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra smallDFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOSFET technology.2. Features and benefits Trench MOSFET technology Leadless ultra small SMD plastic package: 1.0 0.6
pmzb670upe.pdf

PMZB670UPE20 V, single P-channel Trench MOSFETRev. 3 23 March 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionP-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Very fast switching ESD protection u
Другие MOSFET... PMV55ENEA , PMV60ENEA , PMV65ENEA , PMV74EPE , PMV88ENEA , PMV90ENE , PMZ600UNEL , PMZ950UPEL , 18N50 , PMZB950UPEL , PSMN010-80YL , PSMN011-100YSF , PSMN012-100YL , PSMN012-60MS , PSMN013-60YL , PSMN014-80YL , PSMN015-100YL .
History: PN4117A | AON6366E | CPH6311 | KQB2N50 | CED16N10L | SM3419NHQA | RS1G180MN
History: PN4117A | AON6366E | CPH6311 | KQB2N50 | CED16N10L | SM3419NHQA | RS1G180MN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437