FDN028N20 Todos los transistores

 

FDN028N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDN028N20
   Código: 28N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 91 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SSOT-3

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FDN028N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:699K  onsemi
fdn028n20.pdf

FDN028N20
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