FDS8449-F085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS8449-F085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDS8449-F085 datasheet

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FDS8449-F085

FDS8449-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 7.6A, 29m Features Typ RDS(on) = 21m at VGS = 10V, ID = 7.6A Typ RDS(on) = 26m at VGS = 4.5V, ID = 6.8A Typ Qg(5) = 7.7nC at VGS = 5V, ID = 7.6A RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Inverter Power Supplies MOSFET Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Rat

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FDS8449-F085

FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description 7.6 A, 40V RDS(on) = 29m @ VGS = 10V These N-Channel MOSFETs are produced using ON RDS(on) = 36m @ VGS = 4.5V Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize High power handling capability in a widely used on-state resistance and yet maintain superior

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