FDS8449-F085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS8449-F085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS8449-F085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS8449-F085 даташит

 ..1. Size:513K  onsemi
 fds8449-f085.pdf pdf_icon

FDS8449-F085

FDS8449-F085 N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 7.6A, 29m Features Typ RDS(on) = 21m at VGS = 10V, ID = 7.6A Typ RDS(on) = 26m at VGS = 4.5V, ID = 6.8A Typ Qg(5) = 7.7nC at VGS = 5V, ID = 7.6A RoHS Compliant Qualified to AEC Q101 Applications Inverter Power Supplies MOSFET Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Rat

 7.1. Size:115K  fairchild semi
 fds8449.pdf pdf_icon

FDS8449-F085

 7.2. Size:249K  fairchild semi
 fds8449 f085.pdf pdf_icon

FDS8449-F085

 7.3. Size:195K  onsemi
 fds8449.pdf pdf_icon

FDS8449-F085

FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET Features General Description 7.6 A, 40V RDS(on) = 29m @ VGS = 10V These N-Channel MOSFETs are produced using ON RDS(on) = 36m @ VGS = 4.5V Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize High power handling capability in a widely used on-state resistance and yet maintain superior

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FDN304P2, FDN5632N-F085, FDP030N06B_F102, FDP2710-F085, FDPC3D5N025X9D, FDPC8014AS, FDPF7N50U_G, FDS6898AZ-F085, 12N60, FDS86267P, FDS8949-F085, FDS8958A-F085, FDS8984-F085, FDU3N50NZTU, FDU5N50NZTU, FDU5N60NZTU, FDWS86068-F085