FDU5N60NZTU Todos los transistores

 

FDU5N60NZTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDU5N60NZTU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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FDU5N60NZTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  onsemi
 fdu5n60nztu.pdf pdf_icon

FDU5N60NZTU

FDU5N60NZTUN-Channel UniFET IIMOSFET600 V, 4 A, 2 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltagewww.onsemi.comMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOStechnology. This advanced MOSFET family has the smallest on-stateresistance among the planar MOSFET, and also provides superiorDswitching performance and higher avalanche energy strength. Inaddition, int

 9.1. Size:244K  fairchild semi
 fdd5n53 fdu5n53.pdf pdf_icon

FDU5N60NZTU

January 2009UniFETTMFDD5N53/FDU5N53tmN-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Features Description RDS(on) = 1.25 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology has been espe

 9.2. Size:425K  onsemi
 fdu5n50nztu.pdf pdf_icon

FDU5N60NZTU

FDU5N50NZTUPower MOSFET, N-Channel,UniFETt II500 V, 4 A, 1.5 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltage MOSFETwww.onsemi.comfamily based on advanced planar stripe and DMOS technology. Thisadvanced MOSFET family has the smallest on-state resistance amongthe planar MOSFET, and also provides superior switching performanceDand higher avalanche energy strength. In add

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