FDU5N60NZTU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDU5N60NZTU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: IPAK

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FDU5N60NZTU datasheet

 ..1. Size:476K  onsemi
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FDU5N60NZTU

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 9.1. Size:244K  fairchild semi
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FDU5N60NZTU

January 2009 UniFETTM FDD5N53/FDU5N53 tm N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5 Features Description RDS(on) = 1.25 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advanced technology has been espe

 9.2. Size:425K  onsemi
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FDU5N60NZTU

FDU5N50NZTU Power MOSFET, N-Channel, UniFETt II 500 V, 4 A, 1.5 W UniFET II MOSFET is ON Semiconductor s high voltage MOSFET www.onsemi.com family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance D and higher avalanche energy strength. In add

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