Справочник MOSFET. FDU5N60NZTU

 

FDU5N60NZTU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDU5N60NZTU
   Маркировка: FDU5N60NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для FDU5N60NZTU

 

 

FDU5N60NZTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  onsemi
 fdu5n60nztu.pdf

FDU5N60NZTU FDU5N60NZTU

FDU5N60NZTUN-Channel UniFET IIMOSFET600 V, 4 A, 2 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltagewww.onsemi.comMOSFET family based on advanced planar stripe and DMOStechnology. This advanced MOSFET family has the smallest on-stateresistance among the planar MOSFET, and also provides superiorDswitching performance and higher avalanche energy strength. Inaddition, int

 9.1. Size:244K  fairchild semi
 fdd5n53 fdu5n53.pdf

FDU5N60NZTU FDU5N60NZTU

January 2009UniFETTMFDD5N53/FDU5N53tmN-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Features Description RDS(on) = 1.25 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advanced technology has been espe

 9.2. Size:425K  onsemi
 fdu5n50nztu.pdf

FDU5N60NZTU FDU5N60NZTU

FDU5N50NZTUPower MOSFET, N-Channel,UniFETt II500 V, 4 A, 1.5 WUniFET II MOSFET is ON Semiconductors high voltage MOSFETwww.onsemi.comfamily based on advanced planar stripe and DMOS technology. Thisadvanced MOSFET family has the smallest on-state resistance amongthe planar MOSFET, and also provides superior switching performanceDand higher avalanche energy strength. In add

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top