STP5N60 Todos los transistores

 

STP5N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP5N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP5N60 Datasheet (PDF)

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STP5N60

STD5N60M2, STP5N60M2, STU5N60M2N-channel 600 V, 1.26 typ., 3.5 A MDmesh II Plus low QgPower MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID3STD5N60M21STP5N60M2 650 V 1.4 3.5 ADPAKSTU5N60M2TAB Extremely low gate chargeTAB Lower RDS(on) x area vs previous generation3 3 Lo

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STP5N60

STD5N62K3, STF5N62K3 STP5N62K3, STU5N62K3DatasheetN-channel 620 V, 1.28 typ., 4.2 A MDmesh K3 Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesFeaturesTAB32 VDS RDS(on)max. IDOrder code Package1DPAK32 STD5N62K3 DPAK1TO-220FPSTF5N62K3 TO-220FP620 V 1.6 4.2 ATABSTP5N62K3 TO-220TABSTU5N62K3 IPAK32132IPAK 100% avalanche test

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STP5N60

STB5N62K3, STD5N62K3, STF5N62K3STP5N62K3, STU5N62K3N-channel 620 V, 1.28 , 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFETDPAK, DPAK,TO-220FP, TO-220 and IPAKFeaturesRDS(on) Order codes VDSS ID Pwmax.333221STB5N62K31170 WSTD5N62K3 DPAKTO-220TO-220FPSTF5N62K3 620 V

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History: 2SK2872-01MR | FDPF3N50NZ

 

 
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