NTB150N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB150N65S3HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 192 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 43 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
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NTB150N65S3HF Datasheet (PDF)
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NTB150N65S3HFMOSFET NChannel,SUPERFET III, FRFET650 V, 24 A, 150 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeVDSS RDS(ON) MAX ID
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