NTB150N65S3HF Todos los transistores

 

NTB150N65S3HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTB150N65S3HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NTB150N65S3HF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTB150N65S3HF datasheet

 ..1. Size:323K  onsemi
 ntb150n65s3hf.pdf pdf_icon

NTB150N65S3HF

NTB150N65S3HF MOSFET N Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 24 A, 150 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize VDSS RDS(ON) MAX ID

Otros transistores... FQT1N80TF-WS , HUF76629D3ST-F085 , HUFA76429D3ST-F085 , NCV8403B , NID9N05BCL , NTB004N10G , NTB095N65S3HF , NTB110N65S3HF , IRF830 , NTB190N65S3HF , NTBG020N120SC1 , NTBG040N120SC1 , NTBG060N090SC1 , NTBG160N120SC1 , NTBGS4D1N15MC , NTBGS6D5N15MC , NTBLS001N06C .

 

 
Back to Top

 


 
.