NTB150N65S3HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTB150N65S3HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB150N65S3HF
NTB150N65S3HF Datasheet (PDF)
..1. Size:323K onsemi
ntb150n65s3hf.pdf
ntb150n65s3hf.pdf
NTB150N65S3HFMOSFET NChannel,SUPERFET III, FRFET650 V, 24 A, 150 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeVDSS RDS(ON) MAX ID
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
