NTB190N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTB190N65S3HF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 162 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB190N65S3HF

NTB190N65S3HF Datasheet (PDF)

..1. Size:392K onsemi
ntb190n65s3hf.pdf

MOSFET NChannel,SUPERFET III, FRFET650 V, 20 A, 190 mWNTB190N65S3HFDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to minimizeVDSS RDS(ON) MAX ID

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