STP5N80 Todos los transistores

 

STP5N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP5N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP5N80 Datasheet (PDF)

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stp5n80.pdf pdf_icon

STP5N80

 0.1. Size:295K  st
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STP5N80

 9.1. Size:776K  st
stb5nk52zd-1 std5nk52zd stf5nk52zd stp5nk52zd.pdf pdf_icon

STP5N80

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1STF5NK52ZD,STP5NK52ZDN-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FPZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax32IPAK3STB5NK52ZD-1 520 V

 9.2. Size:240K  st
stp5nb40 stp5nb40fp.pdf pdf_icon

STP5N80

STP5NB40STP5NB40FPN-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FPPowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NB40 400 V

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