STP5N80 - описание и поиск аналогов

 

STP5N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP5N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP5N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP5N80 даташит

 ..1. Size:316K  st
stp5n80.pdfpdf_icon

STP5N80

 0.1. Size:295K  st
stp5n80xi.pdfpdf_icon

STP5N80

 9.1. Size:776K  st
stb5nk52zd-1 std5nk52zd stf5nk52zd stp5nk52zd.pdfpdf_icon

STP5N80

STD5NK52ZD, STB5NK52ZD-1 STF5NK52ZD,STP5NK52ZD N-channel 520 V,1.22 ,4.4 A,TO-220,IPAK,I2PAK,DPAK,TO-220FP Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 2 IPAK 3 STB5NK52ZD-1 520 V

 9.2. Size:240K  st
stp5nb40 stp5nb40fp.pdfpdf_icon

STP5N80

STP5NB40 STP5NB40FP N-CHANNEL 400V - 1.47 - 4.7A TO-220/TO-220FP PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NB40 400 V

Другие MOSFET... STP5N30 , STP5N30FI , STP5N30L , STP5N30LFI , STP5N50 , STP5N50FI , STP5N60 , STP5N60FI , AON7408 , STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.