NTBGS4D1N15MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTBGS4D1N15MC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 316 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-7L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTBGS4D1N15MC

NTBGS4D1N15MC Datasheet (PDF)

..1. Size:297K onsemi
ntbgs4d1n15mc.pdf

MOSFET - Single N-Channel150 V, 4.1 mW, 185 ANTBGS4D1N15MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX4.1 mW @ 10 VTypical Applications150 V 185 A Power Tools, B

9.1. Size:404K onsemi
ntbgs6d5n15mc.pdf

MOSFET - Power, SingleN-Channel, D2PAK7150 V, 7 mW, 121 ANTBGS6D5N15MCFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMIV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS150 V 7 mW @ 10 V 121 ACompliant8.7 mW @ 8 VTypical Applic

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: