NTBGS4D1N15MC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTBGS4D1N15MC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 316 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88.9 nC
trⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: D2PAK-7L
Аналог (замена) для NTBGS4D1N15MC
NTBGS4D1N15MC Datasheet (PDF)
ntbgs4d1n15mc.pdf
MOSFET - Single N-Channel150 V, 4.1 mW, 185 ANTBGS4D1N15MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX4.1 mW @ 10 VTypical Applications150 V 185 A Power Tools, B
ntbgs6d5n15mc.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel, D2PAK7150 V, 7 mW, 121 ANTBGS6D5N15MCFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMIV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS150 V 7 mW @ 10 V 121 ACompliant8.7 mW @ 8 VTypical Applic
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .