NTBGS4D1N15MC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTBGS4D1N15MC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 316 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: D2PAK-7L

Аналог (замена) для NTBGS4D1N15MC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTBGS4D1N15MC даташит

 ..1. Size:297K  onsemi
 ntbgs4d1n15mc.pdf pdf_icon

NTBGS4D1N15MC

MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mW, 185 A NTBGS4D1N15MC Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses www.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 4.1 mW @ 10 V Typical Applications 150 V 185 A Power Tools, B

 9.1. Size:404K  onsemi
 ntbgs6d5n15mc.pdf pdf_icon

NTBGS4D1N15MC

MOSFET - Power, Single N-Channel, D2PAK7 150 V, 7 mW, 121 A NTBGS6D5N15MC Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMI V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 150 V 7 mW @ 10 V 121 A Compliant 8.7 mW @ 8 V Typical Applic

Другие IGBT... NTB095N65S3HF, NTB110N65S3HF, NTB150N65S3HF, NTB190N65S3HF, NTBG020N120SC1, NTBG040N120SC1, NTBG060N090SC1, NTBG160N120SC1, EMB04N03H, NTBGS6D5N15MC, NTBLS001N06C, NTBLS002N08MC, NTBLS0D7N06C, NTBLS1D5N08MC, NTBLS4D0N15MC, NTBS2D7N06M7, NTBS9D0N10MC