Справочник MOSFET. NTBGS4D1N15MC

 

NTBGS4D1N15MC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTBGS4D1N15MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 316 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 88.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK-7L

 Аналог (замена) для NTBGS4D1N15MC

 

 

NTBGS4D1N15MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  onsemi
 ntbgs4d1n15mc.pdf

NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC

MOSFET - Single N-Channel150 V, 4.1 mW, 185 ANTBGS4D1N15MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX4.1 mW @ 10 VTypical Applications150 V 185 A Power Tools, B

 9.1. Size:404K  onsemi
 ntbgs6d5n15mc.pdf

NTBGS4D1N15MC NTBGS4D1N15MC

MOSFET - Power, SingleN-Channel, D2PAK7150 V, 7 mW, 121 ANTBGS6D5N15MCFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMIV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS150 V 7 mW @ 10 V 121 ACompliant8.7 mW @ 8 VTypical Applic

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FQD3N30TF

 

 
Back to Top