NTHL040N120SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTHL040N120SC1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 348 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 106 nC
   Tiempo de subida (tr): 41 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTHL040N120SC1

NTHL040N120SC1 Datasheet (PDF)

..1. Size:312K onsemi
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MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 40 mW, 60 ANTHL040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 140 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested These Devices are RoHS Compliant 1200 V 56 mW @ 20 V 60 ATypical Applications UPSN-CHANNEL MOSFE

6.1. Size:510K onsemi
nthl040n65s3f.pdf

NTHL040N65S3FMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 65 A, 40 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 40 mW @ 10 V 65 Acharge performance. This advanced

6.2. Size:399K onsemi
nthl040n65s3hf.pdf

NTHL040N65S3HFPower MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 65 A, 40 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

6.3. Size:266K inchange semiconductor
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