Справочник MOSFET. NTHL040N120SC1

 

NTHL040N120SC1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTHL040N120SC1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 348 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 106 nC
   Время нарастания (tr): 41 ns
   Выходная емкость (Cd): 140 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для NTHL040N120SC1

 

 

NTHL040N120SC1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  onsemi
nthl040n120sc1.pdf

NTHL040N120SC1
NTHL040N120SC1

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel1200 V, 40 mW, 60 ANTHL040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mWwww.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 106 nC) Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 140 pF)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% UIL Tested These Devices are RoHS Compliant 1200 V 56 mW @ 20 V 60 ATypical Applications UPSN-CHANNEL MOSFE

 6.1. Size:510K  onsemi
nthl040n65s3f.pdf

NTHL040N120SC1
NTHL040N120SC1

NTHL040N65S3FMOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 65 A, 40 mWwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highVDSS RDS(ON) MAX ID MAXvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 40 mW @ 10 V 65 Acharge performance. This advanced

 6.2. Size:399K  onsemi
nthl040n65s3hf.pdf

NTHL040N120SC1
NTHL040N120SC1

NTHL040N65S3HFPower MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 65 A, 40 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

 6.3. Size:266K  inchange semiconductor
nthl040n65s3f.pdf

NTHL040N120SC1
NTHL040N120SC1

isc N-Channel MOSFET Transistor NTHL040N65S3FFEATURESWith TO-247 packagingLow R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top