NTHLD040N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTHLD040N65S3HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 446 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 159 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
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NTHLD040N65S3HF Datasheet (PDF)
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MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET) III, FRFET)650 V, 65 A, 40 mWNTHLD040N65S3HFDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored
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