NTHLD040N65S3HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTHLD040N65S3HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для NTHLD040N65S3HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHLD040N65S3HF даташит

 0.1. Size:310K  onsemi
 nthld040n65s3hf.pdf pdf_icon

NTHLD040N65S3HF

MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET) III, FRFET) 650 V, 65 A, 40 mW NTHLD040N65S3HF Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored

Другие IGBT... NTHL050N65S3HF, NTHL060N090SC1, NTHL080N120SC1, NTHL080N120SC1A, NTHL095N65S3HF, NTHL110N65S3F, NTHL160N120SC1, NTHL190N65S3HF, IRF9540, NTHS5404T1, NTHS5441, NTLJS17D0P03P8Z, NTLUD3A260PZ, NTLUS3A40PZ, NTMD6P02R2, NTMFD016N06C, FCAB21490L1