NTLUD3A260PZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTLUD3A260PZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: UDFN6
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NTLUD3A260PZ datasheet
ntlud3a260pz.pdf
NTLUD3A260PZ Power MOSFET -20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW
ntlud3a260pztag ntlud3a260pztbg.pdf
NTLUD3A260PZ Power MOSFET -20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW
ntlud3a50pz.pdf
NTLUD3A50PZ Power MOSFET -20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 50 mW @ -4.5 V
ntlud3191pz.pdf
NTLUD3191PZ Power MOSFET -20 V, -1.8 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD 250 mW @ -4.5 V -1.5 A This is a Halide Free Device 380 mW @ -2.5 V -1.0 A Th
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