NTLUD3A260PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTLUD3A260PZ
   Código: AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: UDFN6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTLUD3A260PZ

NTLUD3A260PZ Datasheet (PDF)

..1. Size:123K onsemi
ntlud3a260pz.pdf

NTLUD3A260PZPower MOSFET-20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW

0.1. Size:120K onsemi
ntlud3a260pztag ntlud3a260pztbg.pdf

7.1. Size:123K onsemi
ntlud3a50pz.pdf

NTLUD3A50PZPower MOSFET-20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel,2.0x2.0x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS50 mW @ -4.5 V

8.1. Size:141K onsemi
ntlud3191pz.pdf

NTLUD3191PZPower MOSFET-20 V, -1.8 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD250 mW @ -4.5 V -1.5 A This is a Halide Free Device380 mW @ -2.5 V -1.0 A Th

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: G2009 | NTB150N65S3HF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: