NTLUD3A260PZ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NTLUD3A260PZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: UDFN6
Аналог (замена) для NTLUD3A260PZ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTLUD3A260PZ даташит
ntlud3a260pz.pdf
NTLUD3A260PZ Power MOSFET -20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW
ntlud3a260pztag ntlud3a260pztbg.pdf
NTLUD3A260PZ Power MOSFET -20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW
ntlud3a50pz.pdf
NTLUD3A50PZ Power MOSFET -20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel, 2.0x2.0x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction MOSFET Low RDS(on) V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 50 mW @ -4.5 V
ntlud3191pz.pdf
NTLUD3191PZ Power MOSFET -20 V, -1.8 A, mCoolt Dual P-Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package Features UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD 250 mW @ -4.5 V -1.5 A This is a Halide Free Device 380 mW @ -2.5 V -1.0 A Th
Другие IGBT... NTHL095N65S3HF, NTHL110N65S3F, NTHL160N120SC1, NTHL190N65S3HF, NTHLD040N65S3HF, NTHS5404T1, NTHS5441, NTLJS17D0P03P8Z, 2N7002, NTLUS3A40PZ, NTMD6P02R2, NTMFD016N06C, FCAB21490L1, FCAB21520L1, MTMC8E2A0LBF, NTMFD020N06C, NTMFD024N06C
History: IPI60R099CPA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet




