NTLUD3A260PZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTLUD3A260PZ
Маркировка: AD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 32.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: UDFN6
Аналог (замена) для NTLUD3A260PZ
NTLUD3A260PZ Datasheet (PDF)
ntlud3a260pz.pdf
NTLUD3A260PZPower MOSFET-20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW
ntlud3a260pztag ntlud3a260pztbg.pdf
NTLUD3A260PZPower MOSFET-20 V, -2.1 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low Profile UDFN 1.6x1.6x0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD Protected These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 200 mW
ntlud3a50pz.pdf
NTLUD3A50PZPower MOSFET-20 V, -5.6 A, mCoolt Dual P-Channel,2.0x2.0x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConductionMOSFET Low RDS(on)V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Profile UDFN 2.0x2.0x0.55 mm for Board Space Saving These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS50 mW @ -4.5 V
ntlud3191pz.pdf
NTLUD3191PZPower MOSFET-20 V, -1.8 A, mCoolt Dual P-Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN PackageFeatures UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX ESD250 mW @ -4.5 V -1.5 A This is a Halide Free Device380 mW @ -2.5 V -1.0 A Th
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: PHB42N03LT
History: PHB42N03LT
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918