NTMFD5C680NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFD5C680NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN8-5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFD5C680NL

NTMFD5C680NL Datasheet (PDF)

..1. Size:338K onsemi
ntmfd5c680nl.pdf

NTMFD5C680NLMOSFET Power, Dual,N-Channel60 V, 28 mW, 26 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS28 mW @ 10 V60 VCompliant26 A41 mW @ 4.5 VMAXI

6.1. Size:206K 1
ntmfd5c650nlt1g.pdf

NTMFD5C650NLMOSFET Power, Dual,N-Channel60 V, 4.2 mW, 111 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS4.2 mW @ 10 V60 VCompliant111 A5.8 mW @ 4.5 V

6.2. Size:345K 1
ntmfd5c674nlt1g.pdf

NTMFD5C674NLMOSFET Dual, N-Channel60 V, 14.4 mW, 42 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant14.4 mW @ 10 V60 V42 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 2

6.3. Size:206K onsemi
ntmfd5c650nl.pdf