NTMFD5C680NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFD5C680NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: DFN8-5X6

Аналог (замена) для NTMFD5C680NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFD5C680NL даташит

 ..1. Size:338K  onsemi
 ntmfd5c680nl.pdf pdf_icon

NTMFD5C680NL

NTMFD5C680NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 28 mW, 26 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 28 mW @ 10 V 60 V Compliant 26 A 41 mW @ 4.5 V MAXI

 6.1. Size:206K  1
 ntmfd5c650nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD5C680NL

NTMFD5C650NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.2 mW @ 10 V 60 V Compliant 111 A 5.8 mW @ 4.5 V

 6.2. Size:345K  1
 ntmfd5c674nlt1g.pdf pdf_icon

NTMFD5C680NL

NTMFD5C674NL MOSFET Dual, N-Channel 60 V, 14.4 mW, 42 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Compliant 14.4 mW @ 10 V 60 V 42 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 2

 6.3. Size:206K  onsemi
 ntmfd5c650nl.pdf pdf_icon

NTMFD5C680NL

NTMFD5C650NL MOSFET Power, Dual, N-Channel 60 V, 4.2 mW, 111 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.2 mW @ 10 V 60 V Compliant 111 A 5.8 mW @ 4.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFD4C50N, NTMFD5875NL, NTMFD5C446NL, NTMFD5C466N, NTMFD5C466NL, NTMFD5C470NL, NTMFD5C650NL, NTMFD5C674NL, IRF530, NTMFD6H840NL, NTMFD6H846NL, NTMFD6H852NL, NTMFS015N10MCL, NTMFS016N06C, NTMFS020N06C, NTMFS024N06C, NTMFS08N003C