NTMFD5C680NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMFD5C680NL
Маркировка: 5C680L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: DFN8-5X6
Аналог (замена) для NTMFD5C680NL
NTMFD5C680NL Datasheet (PDF)
ntmfd5c680nl.pdf
NTMFD5C680NLMOSFET Power, Dual,N-Channel60 V, 28 mW, 26 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS28 mW @ 10 V60 VCompliant26 A41 mW @ 4.5 VMAXI
ntmfd5c650nlt1g.pdf
NTMFD5C650NLMOSFET Power, Dual,N-Channel60 V, 4.2 mW, 111 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS4.2 mW @ 10 V60 VCompliant111 A5.8 mW @ 4.5 V
ntmfd5c674nlt1g.pdf
NTMFD5C674NLMOSFET Dual, N-Channel60 V, 14.4 mW, 42 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant14.4 mW @ 10 V60 V42 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 2
ntmfd5c650nl.pdf
NTMFD5C650NLMOSFET Power, Dual,N-Channel60 V, 4.2 mW, 111 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS4.2 mW @ 10 V60 VCompliant111 A5.8 mW @ 4.5 V
ntmfd5c674nl.pdf
NTMFD5C674NLMOSFET Dual, N-Channel60 V, 14.4 mW, 42 AFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXCompliant14.4 mW @ 10 V60 V42 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 2
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918