STP5NA80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP5NA80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP5NA80 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STP5NA80 datasheet
stp5na80.pdf
STP5NA80 STP5NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NA80 800 V
stp5na80fp.pdf
STP5NA80FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NA80FP 800 V
stp5na80--.pdf
STP5NA80FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NA80FP 800 V
stp5na50.pdf
STP5NA50 STP5NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP5NA50 500 V
Otros transistores... STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , IRFP260 , STP5NA80FI , STP60N05 , STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485