STP5NA80 Todos los transistores

 

STP5NA80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP5NA80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de STP5NA80 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STP5NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  st
 stp5na80.pdf pdf_icon

STP5NA80

STP5NA80STP5NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80 800 V

 0.1. Size:96K  st
 stp5na80fp.pdf pdf_icon

STP5NA80

STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V

 0.2. Size:50K  st
 stp5na80--.pdf pdf_icon

STP5NA80

STP5NA80FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA80FP 800 V

 8.1. Size:404K  st
 stp5na50.pdf pdf_icon

STP5NA80

STP5NA50STP5NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP5NA50 500 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP5N80FI , STP5N80XI , STP5N90 , STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , 4435 , STP5NA80FI , STP60N05 , STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 .

History: SSS6N80A | IRF840B

 

 
Back to Top

 


 
.