STP60N05-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP60N05-16
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de STP60N05-16 MOSFET
STP60N05-16 Datasheet (PDF)
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf
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stp60n05-14.pdf
STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V
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STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V
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Liste
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irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492