STP60N05-16 - описание и поиск аналогов

 

STP60N05-16. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP60N05-16

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP60N05-16

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP60N05-16 даташит

 ..1. Size:354K  st
 stp60n05-16 stp60n06-16.pdf pdf_icon

STP60N05-16

www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com

 4.1. Size:81K  st
 stp60n05-14.pdf pdf_icon

STP60N05-16

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

 4.2. Size:54K  st
 stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

STP60N05-16

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

 6.1. Size:77K  st
 stp60n05 stp60n06.pdf pdf_icon

STP60N05-16

STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , SKD502T , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI .

History: IRF441

 

 

 

 

↑ Back to Top
.