STP60N05-16 - аналоги и даташиты транзистора

 

STP60N05-16 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STP60N05-16
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 370 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP60N05-16

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP60N05-16 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  st
 stp60n05-16 stp60n06-16.pdf pdf_icon

STP60N05-16

www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

 4.1. Size:81K  st
 stp60n05-14.pdf pdf_icon

STP60N05-16

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 4.2. Size:54K  st
 stp60n05-14 stp60n06-14.pdf pdf_icon

STP60N05-16

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

 6.1. Size:77K  st
 stp60n05 stp60n06.pdf pdf_icon

STP60N05-16

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , SPP20N60C3 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI .

History: SSS6N70A

 

 
Back to Top

 


 
.