STP60N05-16 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP60N05-16
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 370 ns
Выходная емкость (Cd): 900 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP60N05-16
STP60N05-16 Datasheet (PDF)
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf
www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com
stp60n05-14.pdf
STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V
stp60n05-14 stp60n06-14.pdf
STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V
stp60n05 stp60n06.pdf
STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V
Другие MOSFET... STP5N90FI , STP5NA50 , STP5NA50FI , STP5NA60 , STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , IRF9540 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , STP60N06FI , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C