STP60N06-16 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP60N06-16
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP60N06-16

STP60N06-16 Datasheet (PDF)

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www.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.comwww.DataSheet4U.com

4.1. Size:54K st
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STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

4.2. Size:228K inchange semiconductor
stp60n06-14.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP60N06-14FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to driveHigh current capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

6.1. Size:77K st
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