NTNS5K0P021Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTNS5K0P021Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.127 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: XDFN3

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NTNS5K0P021Z datasheet

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NTNS5K0P021Z

NTNS5K0P021Z MOSFET Single P-Channel, Small Signal, XDFN3, 0.62 x 0.42 x 0.4 mm www.onsemi.com -20 V, -127 mA Features V(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm) 5.0 W @ -4.5 V for Extremely Space-Constrained Applications 5.5 W @ -3.3 V -1.5 V Gate Drive -20 V 6.0 W @ -2.5 V -127 mA These Devices are Pb-Free, Halogen

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