NTNS5K0P021Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTNS5K0P021Z
   Código: F*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.127 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: XDFN3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTNS5K0P021Z

NTNS5K0P021Z Datasheet (PDF)

..1. Size:170K onsemi
ntns5k0p021z.pdf

NTNS5K0P021ZMOSFET SingleP-Channel, Small Signal,XDFN3,0.62 x 0.42 x 0.4 mmwww.onsemi.com-20 V, -127 mAFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm)5.0 W @ -4.5 Vfor Extremely Space-Constrained Applications5.5 W @ -3.3 V -1.5 V Gate Drive-20 V 6.0 W @ -2.5 V -127 mA These Devices are Pb-Free, Halogen

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: