NTNS5K0P021Z Todos los transistores

 

NTNS5K0P021Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTNS5K0P021Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.127 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: XDFN3
 

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NTNS5K0P021Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  onsemi
 ntns5k0p021z.pdf pdf_icon

NTNS5K0P021Z

NTNS5K0P021ZMOSFET SingleP-Channel, Small Signal,XDFN3,0.62 x 0.42 x 0.4 mmwww.onsemi.com-20 V, -127 mAFeaturesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID Max Low Profile Ultra Small Package, XDFN3 (0.62 x 0.42 x 0.4 mm)5.0 W @ -4.5 Vfor Extremely Space-Constrained Applications5.5 W @ -3.3 V -1.5 V Gate Drive-20 V 6.0 W @ -2.5 V -127 mA These Devices are Pb-Free, Halogen

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History: WTC1333 | SSF7008 | JFFM3N120E | IRFR120Z | NCE3035Q | JFFM13N50E | WNMD2154

 

 
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