NTP190N65S3HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTP190N65S3HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 162 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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NTP190N65S3HF Datasheet (PDF)
ntp190n65s3hf.pdf
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MOSFET Power,N-Channel, SUPERFET III,FRFET650 V, 20 A, 190 mWNTP190N65S3HFwww.onsemi.comDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 190 mW @ 10 V 20 Acharge performance. This advance
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