STP60N06FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP60N06FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: ISOWATT220
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STP60N06FI datasheet
stp60n05 stp60n06.pdf
STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V
stp60n05-14 stp60n06-14.pdf
STP60N05-14 STP60N06-14 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STP60N05-14 50 V
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf
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Otros transistores... STP5NA60FI , STP5NA80 , STP5NA80FI , STP60N05 , STP60N05-16 , STP60N05FI , STP60N06 , STP60N06-16 , 12N60 , STP6N25 , STP6N25FI , STP6N50 , STP6N50FI , STP6N60FI , STP6NA50 , STP6NA50FI , STP6NA60 .
History: APTM120U10SCAVG | 7N10G-TN3
History: APTM120U10SCAVG | 7N10G-TN3
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Liste
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