STP60N06FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP60N06FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP60N06FI

STP60N06FI Datasheet (PDF)

..1. Size:342K st
stp60n06 stp60n06fi.pdf

6.1. Size:77K st
stp60n05 stp60n06.pdf

STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

6.2. Size:54K st
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STP60N05-14STP60N06-14N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP60N05-14 50 V

6.3. Size:354K st
stp60n05-16 stp60n06-16.pdf

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6.4. Size:228K inchange semiconductor
stp60n06-14.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP60N06-14FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to driveHigh current capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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