NTUD3174NZ Todos los transistores

 

NTUD3174NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTUD3174NZ

Código: 6*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.125 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 8 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 0.22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1 V

Tiempo de elevación (tr): 25.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3.6 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT963

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTUD3174NZ

 

NTUD3174NZ Datasheet (PDF)

0.1. ntud3174nz.pdf Size:109K _onsemi

NTUD3174NZ
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NTUD3174NZSmall Signal MOSFET20 V, 220 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating2.0 W @ 2.5 V20 V 0.22 A Ultra Thin Profile (

7.1. ntud3170nz.pdf Size:101K _onsemi

NTUD3174NZ
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NTUD3170NZSmall Signal MOSFET20 V, 220 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating20 V 0.22 A2.0 W @ 2.5 V Ultra Thin Profile (

7.2. ntud3171pz.pdf Size:103K _onsemi

NTUD3174NZ
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NTUD3171PZSmall Signal MOSFET-20 V, -200 mA, Dual P-Channel,1.0 x 1.0 mm SOT-963 PackageFeatures http://onsemi.com Dual P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mmV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MaxPackage5.0 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating6.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

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