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NTUD3174NZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTUD3174NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT963
 

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NTUD3174NZ datasheet

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NTUD3174NZ

NTUD3174NZ Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT-963 Package Features http //onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 2.0 W @ 2.5 V 20 V 0.22 A Ultra Thin Profile (

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NTUD3174NZ

NTUD3170NZ Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT-963 Package Features http //onsemi.com Dual N-Channel MOSFET Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 1.5 W @ 4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 20 V 0.22 A 2.0 W @ 2.5 V Ultra Thin Profile (

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NTUD3174NZ

NTUD3171PZ Small Signal MOSFET -20 V, -200 mA, Dual P-Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT-963 Package Features http //onsemi.com Dual P-Channel MOSFET Offers a Low RDS(on) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID Max Package 5.0 W @ -4.5 V 1.5 V Gate Voltage Rating 6.0 W @ -2.5 V Ultra Thin Profile (

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NTUD3174NZ

NTUD3127C Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA / -180 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT-963 Package Features http //onsemi.com Complementary MOSFET Device 1.5 V Gate Voltage Rating V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Ultra Thin Profile (

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History: KDD6030L | APT5010JFLL | IPI65R190C6 | AOD414

 

 
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