SI12N60-F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI12N60-F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 133 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de SI12N60-F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI12N60-F datasheet

 7.1. Size:4843K  cn szxunrui
 si12n60.pdf pdf_icon

SI12N60-F

N-CHANNEL MOSFET SI12N60 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25 ) Value Parameter Symbol Unit SSS12N60 VDSS V 600 Drain-Source Voltage ID 12 A Drain Current -continuous T=25 1 IDM 48 A Drain Current - pulse note 1

Otros transistores... NTZD3158P, NVATS4A103PZ, NVATS5A106PLZ, PM2301, PM2302, PM3400, PM3401, KS2302AA, IRFZ44N, SI12N60, SI20N03, SI25N10, SI3400, SI3401, SI3403, SI3406, SI4260