SI12N60-F - аналоги и даташиты транзистора

 

SI12N60-F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI12N60-F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SI12N60-F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI12N60-F Datasheet (PDF)

 7.1. Size:4843K  cn szxunrui
 si12n60.pdf pdf_icon

SI12N60-F

N-CHANNEL MOSFETSI12N60 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25) Value Parameter Symbol Unit SSS12N60 VDSSV600Drain-Source Voltage ID 12 ADrain Current -continuous T=25 1 IDM 48ADrain Current - pulse note 1

Другие MOSFET... NTZD3158P , NVATS4A103PZ , NVATS5A106PLZ , PM2301 , PM2302 , PM3400 , PM3401 , KS2302AA , IRFZ44N , SI12N60 , SI20N03 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , SI4260 .

History: PHB222NQ04LT | SD403CY | KIA4N65H-220 | CS4N65A4TDY | BRCS4407SC | PHB78NQ03LT | PHB225NQ04T

 

 
Back to Top

 


 
.