SI4260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4260
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8L SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4260

SI4260 Datasheet (PDF)

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si4260.pdf

SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSSI4260N-Channel Power MOSFET SI4260SO-8LDDPRODUCT SUMMARYDDVDSSID RDS(on) (m-ohm) Max 6.0 @ VGS = 10V G60V G20A S7.0 @ VGS = 4.5V S SSSSO-8 SPin 1Equivalent Cir cuitGeneral Features D Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature G

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: