SI4260 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4260

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SO8L SOP8

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SI4260 datasheet

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SI4260

SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI4260 N-Channel Power MOSFET SI4260 SO-8L D D PRODUCT SUMMARY D D VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 6.0 @ VGS = 10V G 60V G 20A S 7.0 @ VGS = 4.5V S S S S SO-8 S Pin 1 Equivalent Cir cuit General Features D Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature G

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