SI4260 Todos los transistores

 

SI4260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI4260
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8L SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI4260 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI4260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1347K  cn szxunrui
 si4260.pdf pdf_icon

SI4260

SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSSI4260N-Channel Power MOSFET SI4260SO-8LDDPRODUCT SUMMARYDDVDSSID RDS(on) (m-ohm) Max 6.0 @ VGS = 10V G60V G20A S7.0 @ VGS = 4.5V S SSSSO-8 SPin 1Equivalent Cir cuitGeneral Features D Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature G

Otros transistores... SI12N60-F , SI12N60 , SI20N03 , SI25N10 , SI3400 , SI3401 , SI3403 , SI3406 , IRFP460 , SI4430 , SI4614 , SI4953 , SI4N60-TA3-T , SI4N60-TF3-T , SI4N60-TM3-T , SI4N60-TN3-R , SI4N60-TN3-T .

History: WMS06N10TS | LNH5N50 | 4N60L-TF1-T | SW4N70B | SM6017NSF | WPM1483 | WMP10N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.