SI5N60-TM3-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5N60-TM3-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO251

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SI5N60-TM3-T datasheet

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SI5N60-TM3-T

N-CHANNEL MOSFET SI5N60 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics , such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This

Otros transistores... SI4N60L-TF3-T, SI4N60L-TM3-T, SI4N60L-TN3-R, SI4N60L-TN3-T, SI4N65, SI4N65F, SI5N60-TA3-T, SI5N60-TF3-T, IRFP250N, SI5N60-TN3-R, SI5N60-TN3-T, SI5N60L-TA3-T, SI5N60L-TF3-T, SI5N60L-TM3-T, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, SI60N03