SI5N60L-TM3-T Todos los transistores

 

SI5N60L-TM3-T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5N60L-TM3-T
   Código: 5N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SI5N60L-TM3-T Datasheet (PDF)

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SI5N60L-TM3-T

N-CHANNEL MOSFETSI5N604 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics ,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a highrugged avalanche characteristics. This

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History: RU30D8H | SI6465DQ | WPM2065 | SK2302AA | SIS439DNT | RD3G400GN | HRLP370N10K

 

 
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