SI5N60L-TM3-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI5N60L-TM3-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SI5N60L-TM3-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5N60L-TM3-T даташит

 8.1. Size:405K  cn szxunrui
 si5n60.pdf pdf_icon

SI5N60L-TM3-T

N-CHANNEL MOSFET SI5N60 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts 4 Amps 600Volts N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The SI5N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics , such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This

Другие IGBT... SI4N65F, SI5N60-TA3-T, SI5N60-TF3-T, SI5N60-TM3-T, SI5N60-TN3-R, SI5N60-TN3-T, SI5N60L-TA3-T, SI5N60L-TF3-T, STP75NF75, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, SI60N03, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, SI8205S