SI8205S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI8205S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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SI8205S datasheet

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SI8205S

SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI8205S Dual N-Channel MOSFET SI8205S V(BR)DSS RDS(on)MAX ID Max SOT-23-6 0.025 @ 4.5V 20V 5.0A 0.033 @ 2.5V Equivalent Circuit FEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKING APPLICATION Battery Protection Load Switch

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SI8205S

SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI8205A Dual N-Channel MOSFET SI8205A V(BR)DSS RDS(on)MAX ID Max SOT-23-6 0.022 @ 4.5V 20V 6.0A 0.030 @ 2.5V Equivalent Circuit FEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKING APPLICATION Battery Protection Load Switch

Otros transistores... SI5N60L-TM3-T, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, SI60N03, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, 4435, SI9435, TX216521M6R, PS3400N, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ