SI8205S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для SI8205S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8205S даташит

 ..1. Size:3295K  cn szxunrui
 si8205s.pdf pdf_icon

SI8205S

SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI8205S Dual N-Channel MOSFET SI8205S V(BR)DSS RDS(on)MAX ID Max SOT-23-6 0.025 @ 4.5V 20V 5.0A 0.033 @ 2.5V Equivalent Circuit FEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKING APPLICATION Battery Protection Load Switch

 8.1. Size:2585K  cn szxunrui
 si8205a.pdf pdf_icon

SI8205S

SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI8205A Dual N-Channel MOSFET SI8205A V(BR)DSS RDS(on)MAX ID Max SOT-23-6 0.022 @ 4.5V 20V 6.0A 0.030 @ 2.5V Equivalent Circuit FEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKING APPLICATION Battery Protection Load Switch

Другие IGBT... SI5N60L-TM3-T, SI5N60L-TN3-R, SI5N60L-TN3-T, SI60N03, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, 4435, SI9435, TX216521M6R, PS3400N, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ