PS3400N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PS3400N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS3400N

PS3400N Datasheet (PDF)

..1. Size:916K powersilicon
ps3400n.pdf

DATA SHEET PS3400N N-CHANNEL HIGH DENSITY TRENCH MOSFET VOLTAGE 30 V CURRENT 5.8 A FEATURES LOW RDS(ON): (28m@VGS= 4.5V , ID= 5A, 38m@VGS= 2.5V, ID= 4.0A) RELIABLE AND RUGGED LEAD FREE AND HALOGEN-FREE 3MECHANICAL DATA 2 CASE: SOT-23-3L PLASTIC CASE TERMINALS: SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD208 1 CASESOT-23-3L ABSOLUTE MAXIMUM R

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Liste

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