PS3400N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PS3400N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PS3400N datasheet

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PS3400N

DATA SHEET PS3400N N-CHANNEL HIGH DENSITY TRENCH MOSFET VOLTAGE 30 V CURRENT 5.8 A FEATURES LOW RDS(ON) (28m @VGS= 4.5V , ID= 5A, 38m @VGS= 2.5V, ID= 4.0A) RELIABLE AND RUGGED LEAD FREE AND HALOGEN-FREE 3 MECHANICAL DATA 2 CASE SOT-23-3L PLASTIC CASE TERMINALS SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD208 1 CASE SOT-23-3L ABSOLUTE MAXIMUM R

Otros transistores... SI60N03, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, SI8205S, SI9435, TX216521M6R, K4145, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3