PS3400N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PS3400N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PS3400N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS3400N даташит

 ..1. Size:916K  powersilicon
 ps3400n.pdf pdf_icon

PS3400N

DATA SHEET PS3400N N-CHANNEL HIGH DENSITY TRENCH MOSFET VOLTAGE 30 V CURRENT 5.8 A FEATURES LOW RDS(ON) (28m @VGS= 4.5V , ID= 5A, 38m @VGS= 2.5V, ID= 4.0A) RELIABLE AND RUGGED LEAD FREE AND HALOGEN-FREE 3 MECHANICAL DATA 2 CASE SOT-23-3L PLASTIC CASE TERMINALS SOLDERABLE PER MIL-STD-202, METHOD208 1 CASE SOT-23-3L ABSOLUTE MAXIMUM R

Другие IGBT... SI60N03, SI68H11, SI7N65, SI7N65F, SI8205A, SI8205S, SI9435, TX216521M6R, K4145, NVATS5A107PLZ, NVATS5A112PLZ, NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3