NVATS5A112PLZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVATS5A112PLZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Encapsulados: ATPAK
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NVATS5A112PLZ datasheet
nvats5a112plz.pdf
NVATS5A112PLZ Power MOSFET 60 V, 43 m , 27 A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive www.onsemi.com applications. Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max High Current Capability 43 m @ 10 V 60
nvats5a114plz.pdf
NVATS5A114PLZ Power MOSFET 60 V, 16 m , 60 A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. www.onsemi.com AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 16 m @ 10 V High Current Capability 60 V
nvats5a107plz.pdf
NVATS5A107PLZ Power MOSFET 40 V, 17 m , 55 A, P-Channel Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. www.onsemi.com AEC-Q101 qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 17 m @ 10 V High Current Capability 40
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