NVB150N65S3F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVB150N65S3F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: D2PAK-3

 Búsqueda de reemplazo de NVB150N65S3F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NVB150N65S3F datasheet

 ..1. Size:240K  onsemi
 nvb150n65s3f.pdf pdf_icon

NVB150N65S3F

NVB150N65S3F MOSFET - Power 650 V, 150 mW, 24 A, Single N-Channel, D2PAK Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize V(BR)DSS RDS(ON) MAX I

Otros transistores... NVATS5A113PLZ, NVATS5A114PLZ, NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3, NVB082N65S3F, NVB110N65S3F, AON7506, NVB190N65S3F, NVBF170L, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1, NVBG160N120SC1, NVBGS4D1N15MC