NVBF170L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVBF170L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NVBF170L datasheet

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NVBF170L

MMBF170L, NVBF170L Power MOSFET 500 mA, 60 V, N-Channel SOT-23 Features NVBF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 http //onsemi.com Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 mA, 60 V RDS(on) = 5 W MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit SOT-23 Drain-Source Voltage

Otros transistores... NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3, NVB082N65S3F, NVB110N65S3F, NVB150N65S3F, NVB190N65S3F, IRFP450, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1, NVBG160N120SC1, NVBGS4D1N15MC, NVBGS6D5N15MC, NVBLS001N06C