NVBF170L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NVBF170L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для NVBF170L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVBF170L даташит

 ..1. Size:98K  onsemi
 mmbf170l nvbf170l.pdf pdf_icon

NVBF170L

MMBF170L, NVBF170L Power MOSFET 500 mA, 60 V, N-Channel SOT-23 Features NVBF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 http //onsemi.com Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 500 mA, 60 V RDS(on) = 5 W MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit SOT-23 Drain-Source Voltage

Другие IGBT... NVATS5A302PLZ, NVATS5A304PLZ, NVATS68301PZ, NVB072N65S3, NVB082N65S3F, NVB110N65S3F, NVB150N65S3F, NVB190N65S3F, IRFP450, NVBG020N120SC1, NVBG040N120SC1, NVBG060N090SC1, NVBG080N120SC1, NVBG160N120SC1, NVBGS4D1N15MC, NVBGS6D5N15MC, NVBLS001N06C