NVBGS4D1N15MC Todos los transistores

 

NVBGS4D1N15MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVBGS4D1N15MC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 316 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2025 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK-7
 

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NVBGS4D1N15MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  onsemi
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NVBGS4D1N15MC

MOSFET - Single N-Channel150 V, 4.1 mW, 185 ANVBGS4D1N15MCFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losseswww.onsemi.com Lowers Switching Noise/EMI AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant4.1 mW @ 10 V150 V 185 A

 9.1. Size:404K  onsemi
 nvbgs6d5n15mc.pdf pdf_icon

NVBGS4D1N15MC

MOSFET - Power, SingleN-Channel, D2PAK7150 V, 7 mW, 121 ANVBGS6D5N15MCFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses Lowers Switching Noise/EMIV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable150 V 7 mW @ 10 V 121 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Otros transistores... NVB150N65S3F , NVB190N65S3F , NVBF170L , NVBG020N120SC1 , NVBG040N120SC1 , NVBG060N090SC1 , NVBG080N120SC1 , NVBG160N120SC1 , P0903BDG , NVBGS6D5N15MC , NVBLS001N06C , NVBLS0D5N04M8 , NVBLS0D7N04M8 , NVBLS0D7N06C , NVBLS1D1N08H , NVBLS4D0N15MC , NVC3S5A51PLZ .

History: IPS60R360PFD7S | SI3911DV-T1 | MTH15N40

 

 
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